Samsung ogłosił właśnie, że rozpoczyna masową produkcję największych w historii nośników pamięci flash dla high-endowych smartfonów o pojemności 256 GB.
Jak zapewnia producent, nowe nośniki pamięci bazujące na standardzie UFS 2.0 (Universal Flash Storage) zapewniają wydajność przewyższającą dyski SSD dla komputerów PC z interfejsem SATA. Nowe UFS Samsunga bazuje na jego autorskich chipach pamięci V-NAND i oferuje przy tym wydajny kontroler dysków. Jest on w stanie obsługiwać ponad 45,000 operacji wejścia oraz 40,000 wyjścia na sekundę dla losowego odczytu i zapisu danych – jest to dwukrotnie szybciej od poprzedniej generacji pamięci flash.
256 gigabajtowy nośnik UFS 2.0 wykorzystuje dwa pasy transferu danych dla sekwencyjnego odczytu w celu zapewnienia szybkości do 850 MB/s. Jest to prawie dwa razy większa wartość od typowego SSD opartego o technologię SATA dla komputerów PC. Dodatkowo gwarantuje on zapis do 260 MB/s.
Dzięki temu nowe kości pamięci UFS Samsunga o pojemności 256 GB są w stanie wspierać płynne odtwarzanie wideo 4K i wielozadaniową funkcjonalność urządzeń mobilnych z ekranami o dużej rozdzielczości. Za ich pomocą, przy wykorzystaniu topowych mobilnych podzespołów, będziemy w stanie wykonywać zaawansowane czynności, takie jak oglądanie filmu w opisywanej wyżej rozdzielczości, przy wykorzystaniu trybu dzielenia ekranu, podczas gdy w drugim oknie wyszukujemy plików graficznych dużej rozdzielczości, ulokowanych w pamięci urządzenia bez negatywnego wpływu na oglądany film.
Urządzenia Samsunga wyposażone w nową pamięć UFS 2.0 zawitają na rynku prawdopodobnie jeszcze w tym roku. Czyżby w Galaxy Note 6?
Źródło: SamMobile